GaSb单晶由于其晶格常数与带系在 0.8~4.3um宽光谱范围内的各种三元和四元，III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，因为GaSb可以作为衬底材料用作制备适合某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb也被预见具有晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。GaS单晶材料的主要生长方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、移动加热法/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VBG）等。
| 晶体 | GaSb |
| 结构 | 立方 a=6.094A |
| 晶向 | <100> |
| 熔点 | 712oC |
| 密度 | 5.53g/cm3 |
| 禁带宽度 | 0.67 |
单晶 | 掺杂 | 导电类型 | 载流子浓度 cm-3 | 迁移率(cm2/V.s) | 位错密度(cm-2) | 标准基片 | |
GaSb | 本征 | P | (1-2)*1017 | 600-700 | 《1*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
GaSb | Zn | P | (5-100)*1017 | 200-500 | 《1*104
| Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
GaSb | Te | N | (1-20)´1017 | 2000－3500 | 《1*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
尺寸（mm） | Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 | ||||||
表面粗糙度 | Surface roughness(Ra):<=5A | ||||||
抛光 | 单面或双面 | ||||||
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||||||
中文版
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