砷化镓晶片GaAs

专业生产定制高质量砷化镓衬底片GaAs wafer、多晶棒。

1.尺寸:1"，2"，3"，4"，6";

2.晶向:(100)，(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各种偏角;

3.类型:N-type 掺Si，P-type 掺Zn，半绝缘Undope;

4.厚度:100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;

5.提供“激光领域”用高质量超薄双抛GaAs;提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs;提供高质量低位错的EPD<500、<300、<100、<50的高质量LD级外延用GaAs;

6.工艺加工:镀增透膜、镀金等欧姆接触、砷化镓电池、砷化镓外延(PN结、LED各色外延、LD激光器)。