物理光学涵盖：近红外 / 可见光 / 中长波红外光学、激光器件、集成光子、干涉光谱、偏振光学、红外窗口、非线性光学、精密光学测试、光纤光学四大类材料分工明确：硅基集成光子、GaAs 近红外发光 / 调制、InP 通信波段光子、硫系玻璃中远红外透射光学。
硅属于红外透射半导体晶体，1.1~7μm 红外高透，兼具半导体刻蚀加工能力，是集成硅光、红外光学基底、光学探测器核心衬底。
光波导、光耦合器、微环谐振腔、干涉仪、相位调制器、阵列波导光栅 AWG、偏振分束器；
应用：相干光干涉系统、光频梳、片上傅里叶变换光谱仪、干涉型光学传感；
物理光学原理：硅高折射率差，可强束缚光场，实现片上干涉、色散调控、偏振操控。
可见光、近红外（1.1μm 内）PN 结光电二极管、雪崩光电探测器 APD；
用于分光光度计、干涉仪光强采集、激光功率监测、偏振光学信号检测。
本征硅片可加工红外窗口、光学平板、分光基片，工作波段 1~7μm； 用于傅里叶红外光谱 FTIR、红外干涉测试系统、高温光学腔体观测窗口。
微镜阵列、光栅、法布里珀罗微腔、可调谐干涉滤波器；
物理光学用途：光束扫描、分光滤波、多光束干涉实验、可调色散光学系统。
硅具有强三阶非线性效应，用于片上光参量振荡、超连续谱产生、四波混频等非线性光学实验平台。
高精度抛光硅片作为光学基准片，用于反射率、透射率、偏振损耗标定校准。
直接带隙半导体，可发射可见光～905/940nm 近红外激光，兼具高频光调制、偏振光学器件能力。
905nm、940nm、850nm 激光光源，物理光学核心光源；
用途：干涉测量光源、激光衍射实验、三维结构光投影、偏振检测入射光源；
典型设备：激光干涉仪、光谱分析仪、光学衍射测试平台。
高速电光调制器件，对光束振幅、相位、偏振快速调控； 用于脉冲激光整形、干涉光路相位调制、高速光信号偏振切换实验。
红光、近红外窄谱光源，用于偏振分光、吸收光谱、菲涅尔 / 夫琅禾费衍射教学与实验系统。
GaAs 外延结构用于二次谐波产生 SHG、差频、非线性吸收物理光学实验，近红外波段非线性研究主流材料。
半绝缘 GaAs 低介电损耗，加工毫米波透镜、准光干涉器、毫米波偏振器，属于毫米波物理光学分支。
带隙对应 1.2~1.6μm 低损耗光纤窗口，是长波长干涉、光纤光学、相干光子系统不可替代基材。
长波长相干光源，是光纤干涉、光纤传感、相干层析 OCT 物理光学核心光源； 优势：相干长度长，适合迈克尔逊干涉、马赫曾德尔干涉、光谱干涉测量。
InP 基单片集成干涉仪、偏振旋转器、光分束器、相位调制器； 应用：光频梳、高精度干涉测距、光纤偏振光学实验、色散补偿光学系统。
1550nm 波段超连续谱、四波混频、孤子传输物理实验全部基于 InP 光源； 用于色散、偏振模色散、光纤双折射等基础物理光学研究。
InP 光电探测器实现长波外差探测，微弱光干涉信号放大，用于高灵敏度光谱、弱光干涉测量。
InP 外延结构可通过差频产生 2~5μm 中红外光源，填补硅、GaAs 无法覆盖的中红外干涉实验波段。
无电子芯片功能，仅作为中远红外透射光学元件，工作波段 2~14μm，覆盖中红外、长波红外物理光学空白区间。
2–14μm 高透射，可模压非球面透镜、衍射光学 DOE、红外分光棱镜；
物理光学应用：中红外干涉、红外衍射、红外偏振分光系统；
对比单晶锗：成本更低、可批量成型复杂光学曲面，适合红外光路搭建。
干涉仪分束板、红外窗口、色散棱镜，用于分子吸收光谱、红外干涉基础物理实验。
硫系玻璃高三阶非线性系数，用于中红外超连续谱、红外光孤子、非线性干涉实验； 硅、GaAs、InP 仅覆盖近红外，中红外非线性光学只能依靠硫系玻璃。
红外偏振片、波片、相位延迟片基材，研究中远红外偏振态、双折射、偏振干涉现象。
耐温、化学稳定，用于高温腔体红外干涉观测、真空红外光学测试系统保护窗口。
红外点阵分束器、相位光栅，用于长波红外衍射、全息光学物理实验。
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