一、外延硅片是什么？

外延硅片 = 抛光硅衬底 + 单晶外延层在高精度抛光单晶硅衬底上，通过高温 CVD 气相外延，原子沿衬底晶格取向定向生长一层全新单晶硅薄膜（外延层），两层晶格完全匹配，导电类型、电阻率、厚度可独立定制，是高端芯片、功率器件核心基材。

• 衬底厚度：500~800μm（重掺杂低阻衬底为主，N+/P+）

• 外延层厚度：常规 2~20μm；IGBT 可达 50~100μm

• 生长温度：1150~1200℃，硅源 SiHCl₃/SiH₂Cl₂，硼烷 / 磷烷精准掺杂 P/N 型

二、我公司提供的外延硅片类型：

提供3-8英寸硅外延片。

1.掺杂类型和晶向:P100，P111，N100,N111;

2.类型:P/P++，N/N++，N/N+,N/N+/N++,N/P/P，P/N/N+;

3.外延厚度:0.1-100um;

4.外延电阻率:0.001-100Ω.cm;可加工定制，

详情请电联!

三、外延硅片 VS 无衍射峰硅片对比：

1. 外延硅片（EPI）功能：芯片制造基材，侧重电学掺杂、低缺陷、功率 / IC 制造； XRD 表现：属于普通单晶硅，(100)/(111) 晶向会出现强硅衍射峰，不能用于 XRD 零背景测试； 晶向：常规 (100)、(111) 半导体标准晶向。

2. 无衍射峰硅片（XRD 零背景硅片）功能：XRD 表征衬底，5°~90° 无硅衍射峰，消除样品背景干扰； 电学：多为本征高阻硅，无定制掺杂外延层，不用于芯片流片； 晶向：专用 <510>、{911} 特殊晶向，和半导体外延衬底晶向完全区分。

四、外延硅片的关键采购指标

• 衬底晶向：(100) 为主，少数功率器件用 (111)

• 导电结构：N/N+、P/P+、多层梯度外延

• 外延层厚度 & 均匀性：±2~5% 公差

• 外延层电阻率均匀性：片内、片间电阻波动极小

• 表面质量：雾度、颗粒、位错、层错密度

• 可选：背封氧化层、双面抛光、低少子寿命 / 高少子寿命定制