
硅是全车计算、控制、低压功率、传感的核心基材,整车 90% 以上芯片均基于硅片制造,覆盖燃油车 + 新能源车 + 智能驾驶全系统。
整车主控 MCU:车身控制器 BCM、仪表 MCU、车窗 / 灯光 / 雨刮控制、座椅调节芯片,全部硅基;
动力控制:燃油车发动机 ECU、变速箱 TCU;新能源车电机主控 MCU;
BMS 电池管理系统:电芯采样、均衡、高压保护、绝缘检测主控芯片,12 英寸硅片;
车载中央计算平台(域控制器):自动驾驶域、座舱域、动力域 SoC,高端 12 英寸先进制程硅片,负责多传感器融合、图像算法、整车调度。
车载 DRAM、eMMC/SSD 存储、车机 CPU/GPU、中控屏幕驱动 IC、车载音响 DSP、蓝牙 / WiFi 基带芯片,全部硅片基底。
OBC 车载充电机、低压 DC-DC、车灯驱动、车载充电器、各类开关电源低压 MOS、二极管;
整车低压配电、继电器驱动、ESD 保护芯片。
胎压监测 TPMS、加速度计、陀螺仪、气压传感器、麦克风;
车内温湿度、粉尘、空气质量传感器;SOI 硅片耐高温、抗干扰,适配车规宽温(-40~150℃)。
摄像头 CMOS 图像传感器基底(硅外延片),环视、前视行车记录仪摄像头感光芯片;毫米波雷达后端信号处理芯片(射频前端 GaAs,数字处理硅基)。
C-V2X 基带、车载以太网交换芯片、网关处理芯片,硅片大规模集成优势无可替代。
核心优势:高频射频、可直接发光,主打毫米波雷达、905nm 短距激光雷达、车载光信号、车灯红光 LED、车联网射频。
雷达收发 MMIC 芯片(pHEMT/HBT 工艺),占车载雷达射频芯片 80% 市场份额;
功能:自适应巡航 ACC、自动紧急制动 AEB、车道保持、盲区监测 BSD、4D 成像雷达;
优势:77GHz 高频低噪声、高功率增益,硅无法满足毫米波射频性能;单台高端车搭载 3~8 颗雷达,全部依赖 GaAs 晶片。
主流低成本车载激光雷达光源(905nm 波段),用于城区低速智驾、泊车激光雷达;
适用车型:L2 + 入门级智能车,探测距离 100~150m,成本低于 1550nm 磷化铟方案;
配套:车内 3D 人脸识别、驾驶员 DMS 疲劳监测红外发射光源。
车联网 V2X 功率放大器 PA、低噪声放大器 LNA、射频开关,实现车 - 车、车 - 路高速无线通信。
汽车红光 LED 尾灯、刹车灯、转向灯芯片(GaAs 基红光外延);
车内氛围灯红光光源、仪表指示灯。
核心不可替代优势:1550nm 红外激光、超高速光电转换、超高频毫米波,面向高阶 L3/L4 自动驾驶。
唯一可量产 1550nm 激光器衬底材料,905nm GaAs 替代方案;
优势:人眼安全、雨天 / 雾霾穿透强、探测距离 300~500 米,适配高速自动驾驶;
应用:华为、禾赛、速腾等高端主激光雷达,L3 及以上标配,单车搭载 1~2 颗主雷达。
域控制器之间高速光模块、车载 CPO 共封装光学芯片;
800G/1.6T 高速光收发芯片基底,解决整车海量传感器数据传输瓶颈;
车载光纤通信发射 / 接收激光器、光电探测器全部 InP 基。
100GHz 以上超高频毫米波收发芯片,精度远超 GaAs 雷达,用于全场景障碍物精准识别、行人 / 非机动车区分。
车载卫星互联网、高精度定位接收前端,InP 射频芯片抗干扰、高频损耗极低。
不属于半导体晶圆,是红外光学镜片基材,核心用于车载红外热成像夜视系统,适配全恶劣路况。
透过 8~12μm 长波红外,捕捉物体热辐射,无光、暴雨、大雾、逆光强光下正常成像;
替代昂贵单晶锗镜片:可精密模压成型非球面,成本仅锗单晶 1/3,适合前装量产;
成像效果:夜间识别行人、动物、障碍物,弥补摄像头、激光雷达夜视短板,高端豪华车、商用车标配。
硫系玻璃热光系数极低,-40℃~+60℃车内温差下无需自动对焦,无热失焦,满足车规严苛环境要求;镜头模组搭配硫系玻璃实现无热化设计。
红外热成像滤光片、窗口片;
自动驾驶多传感器融合系统红外辅助光学镜头;
货车、大巴夜间安全驾驶红外感知镜头。